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货期:
品牌:
分类:
封装:
PG-SOT223-4
描述:
MOSFET, P-CH, -250V, -0.43A, SOT-223-4
商品型号 :
BSP317PH6327XTSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
745
系列
SIPMOS®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
250V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
430mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
4 欧姆@430mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V@370µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15.1 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
262pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
基本产品编号
BSP317
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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