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    百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > SI7994DP-T1-GE3

    场效应管(MOSFET)SI7994DP-T1-GE3采购_元器件采购商城
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    SI7994DP-T1-GE3

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    商品SI7994DP-T1-GE3规格参数

    商品型号 :

    SI7994DP-T1-GE3

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    VISHAY(威世)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    3661

    系列

    TrenchFET®

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    配置

    2 N-通道(双)

    FET 功能

    --

    漏源电压(Vdss)

    30V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    60A

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    5.6 毫欧@20A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V@250µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    80nC@10V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    3500pF@15V

    功率 - 最大值

    46W

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    PowerPAK® SO-8 双

    供应商器件封装

    PowerPAK® SO-8 双

    基本产品编号

    SI7994

    ECCN

    EAR99

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    • SI7994DP-T1-GE3_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      SI7994DP-T1-GE3

      品牌： VISHAY(威世)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PowerPAK® SO-8 双

      库存： 2497

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2337+

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    • SI7994DP-T1-GE3_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      SI7994DP-T1-GE3

      品牌： VISHAY(威世)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PowerPAK® SO-8 双

      库存： 2497

      标准包： 1

      增量： 1

      批次： 2337+

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