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FDU6N25

阶梯

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¥4.4757

10+

$0.4621

¥3.5187

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  • 库存:3952
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-14工作日
香港: 8-12工作日

数量:

- +

合计:

¥4.4757

  • 最小包装量:1

商品FDU6N25规格参数

商品型号 :

FDU6N25

类目 :

其它

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3952

系列

UniFET™

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

250V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.1 欧姆@2.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

250pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

50W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

IPAK

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPAK

ECCN

EAR99

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