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货期:
品牌:
分类:
封装:
PG-SOT363-6-1
描述:
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -20V, SOT-363
单 价:
品 牌:
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存:
1463
起订量:
1
单 价:
品 牌:
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存:
1170
起订量:
1
单 价:
品 牌:
Infineon(英飞凌)/Cypress
库 存:
36000
起订量:
3000
商品型号 :
BSD223PH6327XTSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
5891
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
390mA
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 欧姆@390mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V@1.5µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.62nC@4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
56pF@15V
功率 - 最大值
250mW
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-6-1
基本产品编号
BSD223
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 1463
标准包: 3000
增量: 1
批次: 25+
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