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C3M0032120D

阶梯

美金

含税

1+

$32.4135

¥247.6198

5+

$29.1722

¥222.8579

10+

$27.4428

¥209.6467

50+

$25.4961

¥194.775

100+

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关税
  • 库存:259
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-14工作日
香港: 8-12工作日

数量:

- +

合计:

¥247.6198

  • 最小包装量:1

商品C3M0032120D规格参数

商品型号 :

C3M0032120D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

259

系列

C3M™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

63A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

43毫欧@40A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.6V@11.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

114 nC@15 V

Vgs(最大值)

+15V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3357pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

283W(Tc)

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

C3M0032120

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99

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