SI7949DP-T1-E3

商品型号 :

SI7949DP-T1-E3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

9888

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 P 沟道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.2A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

64 毫欧@5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

40nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

--

功率 - 最大值

1.5W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

PowerPAK® SO-8 双

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8 双

基本产品编号

SI7949

REACH 状态

可根据要求提供 REACH 信息

ECCN

EAR99