RFD16N05LSM9A

商品型号 :

RFD16N05LSM9A

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

152

系列

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包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

50V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

16A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4V,5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

47 毫欧@16A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

80 nC@10 V

Vgs(最大值)

±10V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

60W(Tc)

工作温度

-55℃~155℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252AA

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

基本产品编号

RFD16N05

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99