百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IPD50R280CEAUMA1
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货期:
品牌:
分类:
封装:
PG-TO252-3
描述:
MOSFET, N-CH, 500V, 18.1A, TO-252
商品型号 :
IPD50R280CEAUMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
435
系列
CoolMOS™ CE
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
13V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
280 毫欧@4.2A,13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V@350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
32.6 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
773pF@100 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
119W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
基本产品编号
IPD50R
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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库存: 1
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增量: 1
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