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IXTQ69N30P

阶梯

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含税

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¥103.0907

5+

$11.1227

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10+

$8.7507

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50+

$8.3822

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100+

$8.0136

¥61.2191

250+

$7.853

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关税
  • 库存:259
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-14工作日
香港: 8-12工作日

数量:

- +

合计:

¥103.0907

  • 最小包装量:1

商品IXTQ69N30P规格参数

商品型号 :

IXTQ69N30P

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

259

系列

Polar

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

300V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

69A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

49 毫欧@500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

180 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4960pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

500W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-3P

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

基本产品编号

IXTQ69

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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