SCTW35N65G2V

商品型号 :

SCTW35N65G2V

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

70

系列

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包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

45A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V,20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

67毫欧@20A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

73 nC@20 V

Vgs(最大值)

+22V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1370pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

240W(Tc)

工作温度

-55℃~200℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

通孔

供应商器件封装

HiP247™

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

SCTW35

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99