FDMD8560L

商品型号 :

FDMD8560L

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3739

系列

PowerTrench®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 N 通道(半桥)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

22A,93A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.2 毫欧@22A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

128nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

11130pF@30V

功率 - 最大值

2.2W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件封装

8-Power 5x6

基本产品编号

FDMD8560

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99