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STP28N65M2
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- 库存：936
- 起订量：1
- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
TO-220
-
描述：
MOSFET, N-CH, 650V, 20A, TO-220AB
- 最小包装量：1
STP28N65M2其他库存
商品STP28N65M2规格参数
商品型号 :
STP28N65M2
类目 :
品牌 :
ST(意法半导体)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
936
系列
MDmesh™ M2
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧@10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
35 nC@10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1440pF@100 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
170W(Tc)
工作温度
150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP28
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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香港交货
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增量： 950
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