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FDN86501LZ

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关税
  • 库存:1485
  • 起订量:5
  • 倍数:5

货期:

大陆: 10-14工作日
香港: 8-12工作日

数量:

- +

合计:

¥60.4435

  • 最小包装量:1

商品FDN86501LZ规格参数

商品型号 :

FDN86501LZ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1485

系列

PowerTrench®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

116 毫欧@2.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

5.4 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

335pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.5W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

FDN86501

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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