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IPP60R099C6XKSA1
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-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-TO220-3
-
描述：
MOSFET, N-CH, 600V, 37.9A, TO220
- 最小包装量：1
IPP60R099C6XKSA1其他库存
商品IPP60R099C6XKSA1规格参数
商品型号 :
IPP60R099C6XKSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
332
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
37.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
99 毫欧@18.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V@1.21mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2660pF@100 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
278W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
产品状态
不适用于新设计
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