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IPN60R3K4CEATMA1
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品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-SOT223-3
-
描述：
MOSFET, N-CH, 600V, 2.6A, SOT-223-3
- 最小包装量：1
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Infineon(英飞凌)/Cypress
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商品IPN60R3K4CEATMA1规格参数
商品型号 :
IPN60R3K4CEATMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
3778
系列
CoolMOS™ CE
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
3.4 欧姆@500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V@40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.6 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
93pF@100 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
5W(Tc)
工作温度
-40℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-3
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
基本产品编号
IPN60R3
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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