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    LND150N3-G

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    • 品牌：

      MICROCHIP/ATMEL

    • 分类：

      其它

    • 描述：

      MICROCHIP - LND150N3-G - Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Through Hole

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    • 最小包装量：1

    商品LND150N3-G规格参数

    商品型号 :

    LND150N3-G

    类目 :

    其它

    品牌 :

    MICROCHIP/ATMEL

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    系列

    --

    包装

    袋

    FET 类型

    N 沟道,耗尽型

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    500V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    30mA(Tj)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    0V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    1000 欧姆@500µA,0V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    --

    Vgs(最大值)

    ±20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    10pF@25 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    740mW(Ta)

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    等级

    --

    资质

    --

    安装类型

    通孔

    供应商器件封装

    TO-92-3

    封装/外壳

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

    基本产品编号

    LND150

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

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