DMG1012T-7

商品型号 :

DMG1012T-7

类目 :

其它

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

3000

起订量 :

3000

批次 :

2630+

包装 :

--

库存 :

1563000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

630mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

400 毫欧@600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.74 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

60.67pF@16 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

280mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-523

封装/外壳

SOT-523

基本产品编号

DMG1012

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99