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CSD18542KCS

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  • 库存:950
  • 起订量:750
  • 倍数:50
  • 最小包装量:50
  • 批次:2514+

商品CSD18542KCS规格参数

商品型号 :

CSD18542KCS

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

50

起订量 :

750

批次 :

2514+

包装 :

--

库存 :

--

系列

NexFET™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

170A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

44 毫欧@100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

57 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5070pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

200W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220-3

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

CSD18542

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99

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