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FDP16AN08A0

阶梯

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合计:

¥8.0942

  • 最小包装量:1
  • 批次:2218+

商品FDP16AN08A0规格参数

商品型号 :

FDP16AN08A0

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

onsemi(安森美)/Fairchild

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2218+

包装 :

--

库存 :

1195

系列

PowerTrench®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

75V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A(Ta),58A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

16 毫欧@58A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

42 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1857pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

135W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220-3

封装/外壳

TO-220-3

ECCN

EAR99

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