FQP13N06L

商品型号 :

FQP13N06L

类目 :

其它

品牌 :

onsemi(安森美)/Fairchild

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2335+

包装 :

--

库存 :

30

系列

QFET®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

13.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

110 毫欧@6.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6.4 nC@5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

350pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

45W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220-3

封装/外壳

TO-220-3

ECCN

EAR99