FQP55N10

商品型号 :

FQP55N10

类目 :

其它

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

62

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

55A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

26 毫欧@27.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

Vgs(最大值)

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2730pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

155W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

不适用