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IPW60R041C6FKSA1
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品牌：
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分类：
-
封装：
PG-TO247-3-1
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描述：
MOSFET,N CH,600V,77.5A,TO247
- 最小包装量：1
IPW60R041C6FKSA1其他库存
商品IPW60R041C6FKSA1规格参数
商品型号 :
IPW60R041C6FKSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
535
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
77.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
41 毫欧@44.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V@2.96mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6530pF@10 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
481W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
产品状态
不适用于新设计
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