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IXFH12N100P

阶梯

美金

含税

1+

$12.5591

¥95.9437

5+

$9.743

¥74.4303

10+

$6.9269

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50+

$6.7946

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100+

$6.6528

¥50.8234

250+

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¥49.8127

关税
  • 库存:493
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-14工作日
香港: 8-12工作日

数量:

- +

合计:

¥95.9437

  • 最小包装量:1

商品IXFH12N100P规格参数

商品型号 :

IXFH12N100P

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

493

系列

HiPerFET™,Polar

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

1000V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.05 欧姆@6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

80 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4080pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

463W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247AD(IXFH)

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

IXFH12

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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