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IDH04G65C6XKSA1
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- 库存：462
- 起订量：1
- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
描述：
INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - Silicon Carbide Schottky Diode, CoolSiC 6G 650V, Single, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
- 最小包装量：1
IDH04G65C6XKSA1其他库存
商品IDH04G65C6XKSA1规格参数
商品型号 :
IDH04G65C6XKSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
462
系列
--
包装
管件
技术
SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
650V
电流 - 平均整流 (Io)
12A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.35V@4 A
速度
零恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
0ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
14 µA@420 V
不同 Vr,F 时电容
205pF@1V,1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-2
供应商器件封装
PG-TO220-2
工作温度 - 结
-55℃~175℃
基本产品编号
IDH04G65
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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