Si2308BDS-T1-GE3

商品型号 :

Si2308BDS-T1-GE3

类目 :

其它

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3464

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

156 毫欧@1.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

190pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.09W(Ta),1.66W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

最后售卖