CSD86330Q3D

商品型号 :

CSD86330Q3D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2320+

包装 :

--

库存 :

2500

系列

NexFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 个 N 通道(半桥)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

9.6 毫欧@14A,8V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6.2nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

920pF@12.5V

功率 - 最大值

6W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerLDFN

供应商器件封装

8-LSON(3.3x3.3)

基本产品编号

CSD86330Q3

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99