SI8409DB-T1-E1

商品型号 :

SI8409DB-T1-E1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2326+

包装 :

Cut Strips

库存 :

3000

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

46 毫欧@1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

26 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±12V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.47W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

4-Microfoot

封装/外壳

4-XFBGA,CSPBGA

基本产品编号

SI8409

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99