FQN1N60CTA

商品型号 :

FQN1N60CTA

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

onsemi(安森美)/Fairchild

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2223+

包装 :

--

库存 :

50

系列

QFET®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

300mA(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

11.5 欧姆@150mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6.2 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

170pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1W(Ta),3W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-92-3

封装/外壳

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

ECCN

EAR99