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STT3P2UH7

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商品STT3P2UH7规格参数

商品型号 :

STT3P2UH7

类目 :

其它

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

1838+

包装 :

Cut Strips

库存 :

14

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

100 毫欧@1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

510pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.6W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

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