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    百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IPD050N03LGATMA1

    场效应管(MOSFET)IPD050N03LGATMA1采购_元器件采购商城
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    IPD050N03LGATMA1

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    商品IPD050N03LGATMA1规格参数

    商品型号 :

    IPD050N03LGATMA1

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Infineon(英飞凌)/Cypress

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    包装 :

    --

    库存 :

    22500

    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    30V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    50A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    4.5V,10V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    5 毫欧@30A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.2V@250µA

    Vgs(最大值)

    ±20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    3200pF@15 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    68W(Tc)

    工作温度

    -55℃~155℃(TJ)

    湿气等级

    1(无限)

    产品状态

    不适用于新设计

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