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US1J-E3/5AT

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商品US1J-E3/5AT规格参数

商品型号 :

US1J-E3/5AT

类目 :

快恢复/高效率二极管

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

7500

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

45000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)

600V

电流 - 平均整流 (Io)

1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.7V@1 A

速度

快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr)

75ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏

10 µA@600 V

不同 Vr,F 时电容

10pF@4V,1MHz

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

DO-214AC,SMA

供应商器件封装

DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结

-55℃~150℃

基本产品编号

US1

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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    US1J-E3/5AT

    品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

    封装: SMA(DO-214AC)

    库存: 360000

    标准包: 2000

    增量: 2000

    批次: 26+

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    起订量:2000

    倍数:2000

    官方客服电话:400-900-7975

  • US1J-E3/5AT

    品牌: VISHAY(威世)

    分类: 快恢复/高效率二极管

    封装: DO-214AC(SMA)

    库存: 3388

    标准包: 1

    增量: 1

    批次: 2134+

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