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TK3P50D,RQ(S

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  • 库存:440
  • 起订量:20
  • 倍数:20

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大陆: 9-12工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥179.68

  • 最小包装量:1

商品TK3P50D,RQ(S规格参数

商品型号 :

TK3P50D,RQ(S

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

20

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

440

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

500V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3 欧姆@1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.4V@1mA

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

280pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

60W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售

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