FQB4N80TM

商品型号 :

FQB4N80TM

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

800

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

800

系列

QFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

800V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.6 欧姆@1.95A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

25 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

880pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.13W(Ta),130W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263(D2PAK)

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

基本产品编号

FQB4N80

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99