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IXFN210N30P3

阶梯

美金

含税

10+

$54.3361

¥415.0954

20+

$52.7067

¥402.6479

40+

$51.1256

¥390.569

关税
  • 库存:230
  • 起订量:10
  • 倍数:10

货期:

大陆: 9-12工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥4150.954

  • 最小包装量:1

商品IXFN210N30P3规格参数

商品型号 :

IXFN210N30P3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

1

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

230

系列

HiPerFET™,Polar3™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

300V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

192A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

14.5 毫欧@105A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

268 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

16200pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1500W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

底座安装

供应商器件封装

SOT-227B

封装/外壳

SOT-227-4,miniBLOC

基本产品编号

IXFN210

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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