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C3M0280090D

阶梯

美金

含税

2+

$7.2198

¥55.1553

8+

$7.0992

¥54.2336

16+

$6.9658

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货期:

大陆: 9-12工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥110.3106

  • 最小包装量:1

商品C3M0280090D规格参数

商品型号 :

C3M0280090D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

1

起订量 :

2

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

4

系列

C3M™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

900V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

11.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

360 毫欧@7.5A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.5V@1.2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

9.5 nC@15 V

Vgs(最大值)

+18V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

150pF@600 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

54W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

C3M0280090

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99

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