百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > FDA59N30
阶梯
美金
含税
5+
$5.2075
¥39.8588
10+
$5.08
¥38.8829
15+
$5.0009
¥38.2778
货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-3PN
描述:
onsemi FDA59N30 Digital Transistor N-Channel Through Hole TO-3P, 3-Pin
商品型号 :
FDA59N30
类目 :
品牌 :
Onsemi(安森美)
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
10
系列
UniFET™
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
300V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
59A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
56 毫欧@29.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
100 nC@10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4670pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
500W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3PN
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
基本产品编号
FDA59
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 25
标准包: 30
增量: 1
1+
--
¥11.5116
10+
--
¥9.4828
30+
--
¥8.3409
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--
¥6.50
900+
--
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