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BSN20BKR

阶梯

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含税

1+

$2.5645

¥21.2252

10+

$1.5594

¥12.9064

50+

$1.1164

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$0.9711

¥8.037

500+

$0.7131

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关税
  • 库存:49432
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥21.2252

  • 包装:Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 最小包装量:1

商品BSN20BKR规格参数

商品型号 :

BSN20BKR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

49432

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

265mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.8 欧姆@200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.49 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

20.2pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

310mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-236AB

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

BSN20

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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