NSBC114EPDP6T5G

商品型号 :

NSBC114EPDP6T5G

类目 :

三极管(BJT)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

12813

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)

50V

电阻器 - 基极 (R1)

10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)

10 千欧

不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

35@5mA,10V

不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

250mV@300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值)

500nA

频率 - 跃迁

--

功率 - 最大值

339mW

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SOT-963

供应商器件封装

SOT-963

基本产品编号

NSBC114

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99