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PDTA113EMB,315

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  • 库存:140000
  • 起订量:3519
  • 倍数:3519
  • 包装:散装
  • 最小包装量:1

商品PDTA113EMB,315规格参数

商品型号 :

PDTA113EMB,315

类目 :

其它

品牌 :

NXP(恩智浦)/Freescale

最小包装量 :

1

起订量 :

3519

批次 :

--

包装 :

散装

库存 :

--

系列

--

包装

散装

晶体管类型

PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)

50V

包含电阻器

R1 和 R2

电阻器 - 基极 (R1)

1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)

1 kOhms

不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

30@40mA,5V

不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

150mV@1.5mA,30mA

电流 - 集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

频率 - 跃迁

180MHz

功率 - 最大值

250 mW

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SC-101,SOT-883

供应商器件封装

DFN1006B-3

基本产品编号

PDTA113

ECCN

EAR99

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