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NSVT65010MW6T1G

阶梯

美金

含税

1+

$3.9905

¥33.0275

10+

$2.4541

¥20.3115

100+

$1.5473

¥12.8065

500+

$1.1517

¥9.5323

1000+

$1.0238

¥8.4735

关税
  • 库存:23880
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥33.0275

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品NSVT65010MW6T1G规格参数

商品型号 :

NSVT65010MW6T1G

类目 :

三极管(BJT)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

23880

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

晶体管类型

2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)

65V

不同 Ib,Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)

650mV@5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值)

15nA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)

220@2mA,5V

功率 - 最大值

380mW

频率 - 跃迁

100MHz

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

基本产品编号

NSVT65010

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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