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RGTH50TS65DGC11

阶梯

美金

含税

1+

$49.45

¥410.618

30+

$27.6215

¥229.3604

120+

$22.8054

¥189.3689

关税
  • 库存:178
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥410.618

  • 包装:管件
  • 最小包装量:30

商品RGTH50TS65DGC11规格参数

商品型号 :

RGTH50TS65DGC11

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

178

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

50A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

100A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.1V@15V,25A

功率 - 最大值

174W

开关能量

--

输入类型

标准

栅极电荷

49 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

27ns/94ns

测试条件

400V,25A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

58ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247N

基本产品编号

RGTH50

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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