HGTG10N120BND

商品型号 :

HGTG10N120BND

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

1681

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

NPT

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

35A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

80A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.7V@15V,10A

功率 - 最大值

298W

开关能量

850µJ(导通),800µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

100 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

23ns/165ns

测试条件

960V,10A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

70ns

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247-3

基本产品编号

HGTG10N120

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99