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NGTB75N65FL2WG

阶梯

美金

含税

1+

$99.7625

¥825.6887

30+

$58.9712

¥488.078

120+

$50.0171

¥413.9691

510+

$43.4597

¥359.6961

1020+

$43.1668

¥357.2721

关税
  • 库存:198
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥825.6887

  • 包装:管件
  • 最小包装量:30

商品NGTB75N65FL2WG规格参数

商品型号 :

NGTB75N65FL2WG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

198

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

100A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

200A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V@15V,75A

功率 - 最大值

595W

开关能量

1.5mJ(导通),1mJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

310 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

110ns/270ns

测试条件

400V,75A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

80ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247-3

基本产品编号

NGTB75

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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