NVMFD5C674NLT1G

商品型号 :

NVMFD5C674NLT1G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1500

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

698

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

11A(Ta),42A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

14.4 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V@25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

4.7nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

640pF@25V

功率 - 最大值

3W(Ta),37W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

基本产品编号

NVMFD5

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99