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SQJ942EP-T1_GE3

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  • 包装:剪切带(CT)
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商品SQJ942EP-T1_GE3规格参数

商品型号 :

SQJ942EP-T1_GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

2871

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

15A(Tc),45A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

22 毫欧@7.8A,10V,11 毫欧@10.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

19.7nC@10V,33.8nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

809pF@20V,1451pF@20V

功率 - 最大值

17W,48W

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

基本产品编号

SQJ942

ECCN

EAR99

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