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货期:
品牌:
分类:
封装:
US6
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
商品型号 :
SSM6N35AFU,LF
类目 :
品牌 :
TOSHIBA(东芝)
最小包装量 :
1
起订量 :
3000
批次 :
--
包装 :
卷带(TR)
库存 :
3930
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
20V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA(Ta)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
1.1 欧姆@150mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V@100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.34nC@4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
36pF@10V
功率 - 最大值
285mW(Ta)
工作温度
150℃
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
SSM6N35
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 50
标准包: 1
增量: 1
1+
--
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