CSD87335Q3D

商品型号 :

CSD87335Q3D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

2999

系列

NexFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

--

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

--

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.9V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

7.4nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1050pF@15V

功率 - 最大值

6W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerLDFN

供应商器件封装

8-LSON(3.3x3.3)

基本产品编号

CSD87335Q3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99