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DMN2022UNS-7
阶梯
美金
含税
2000+
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¥23.0356
6000+
$2.4358
¥20.16
- 库存：1475
- 起订量：2000
- 倍数：2000
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PowerDI3333-8（UXB 型）
-
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
- 包装：卷带（TR）
- 最小包装量：1
DMN2022UNS-7其他库存
商品DMN2022UNS-7规格参数
商品型号 :
DMN2022UNS-7
类目 :
品牌 :
DIODES(美台)
最小包装量 :
1
起订量 :
2000
批次 :
--
包装 :
卷带（TR）
库存 :
1475
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)共漏
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
20V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.7A(Ta)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
10.8 毫欧@4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20.3nC@4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1870pF@10V
功率 - 最大值
1.2W
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerDI3333-8(UXB 型)
基本产品编号
DMN2022
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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大陆交货(含税)
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标准包： 1
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