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AONP36336

阶梯

美金

含税

1+

$18.0665

¥150.0188

10+

$11.4701

¥95.2443

50+

$8.6204

¥71.5812

100+

$7.6987

¥63.9275

500+

$6.0812

¥50.4963

关税
  • 库存:5976
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥150.0188

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品AONP36336规格参数

商品型号 :

AONP36336

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ALPHA/AOS

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

5976

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

50A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.7 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.9V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

29nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1330pF@15V

功率 - 最大值

3.4W(Ta),33W(Tc),3.1W(Ta),30W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerVDFN

供应商器件封装

8-DFN-EP(3.3x3.3)

基本产品编号

AONP363

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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大陆交货(含税)

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操作
  • AONP36336

    品牌: ALPHA/AOS

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 8-DFN-EP(3.3x3.3)

    库存: 5976

    标准包: 1

    增量: 3000

    3000+

    $4.9005

    ¥40.692

    9000+

    $4.3988

    ¥36.5267

    大陆: 10-13工作日
    香港: 8-11工作日
    - +

    合计:¥122076.00

    起订量:3000

    倍数:3000

    关税

    官方客服电话:400-900-7975

  • AONP36336

    品牌: ALPHA/AOS

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 8-DFN-EP(3.3x3.3)

    库存: 5976

    标准包: 1

    增量: 1

    1+

    $18.0665

    ¥150.0188

    10+

    $11.4701

    ¥95.2443

    50+

    $8.6204

    ¥71.5812

    100+

    $7.6987

    ¥63.9275

    500+

    $6.0812

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    大陆: 10-13工作日
    香港: 8-11工作日
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