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货期:
品牌:
分类:
封装:
8-SOIC
描述:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
商品型号 :
FDS9958
类目 :
品牌 :
Onsemi(安森美)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
Digi-Reel® 得捷定制卷带
库存 :
2420
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
105毫欧@2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23nC@10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1020pF@30V
功率 - 最大值
900mW
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
FDS99
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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